東京エレクトロンの半導体装置の仕組みと技術力を詳しく解説。CVD、RIE、拡散炉などの仕組みを解説

※7分のところの解説、勘違いしていました。S-Dがソースドレイン、Metal Gateと書いているのがゲートでした。。すみません。僕が動画でGateと言っていたのは、Gateのコンタクトでした。パッと見ただけでパワポに張ってしまい、図をよく見てませんでした(解説の時によく見てしまった)。

リクエストいただいた東京エレクトロンさんの解説です。マニアックすぎるかもしれませんが、楽しく解説させていただきました(タイアップお待ちしてます(笑))。特にメモリホール加工のRIEは本当に苦労した記憶があるので、懐かしく思いました。僕は4層から64層まで研究開発していましたが、メモリホール加工は苦労の連続でした。それまで多層の積層を垂直に穴を掘るというのはこれまでに誰もやったことがない技術で、それを素早く大量にまっすぐ深く掘るというのはかなりの困難でした。ドライ屋さん、インテグレーション部隊などと密にやりとりし、何度も何度も実験を検査を繰り返し、時には失敗し炉を汚染させたり、ベベルが剣山のようになり出すとまみれになったり、四苦八苦して苦労していました。。動画でもお話ししましたが、1枚加工に2~3時間かかっていたので、装置のキャパを圧迫し対流が起きて日々、どのWaferを加工するかの優先順位調整をしたりもしました。積層も、Poly積層からSiN-SiO2積層に変更したり、、懐かしい思い出ですね。

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10:17 ケミカルエッチング装置の解説
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18:19 バッチ成膜の解説

–自己紹介など————————————
もふもふ不動産 もふのプロフィール
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1980年生まれ。東京都出身。研究開発の仕事を2003年から続け、SONYや東芝で世界最先端の半導体研究開発に携わる。リーマンショックで会社がつぶれそうになったのをきっかけに、株式投資や不動産投資を開始。2015年に法人設立し、副業で会社を経営。2017年からブログで不動産投資の情報を発信し、2018年にYoutube開始。2019年にサラリーマンを退職。現在は会社を経営している。

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